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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHUFA76419P3
HUFA76419P3 Image
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HUFA76419P3 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
HUFA76419P3
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-HUFA76419P3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
HUFA76419P3, HUFA76419S3S.pdf
vorrätig: 5160

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Spezifikation

HUFA76419P3 Tech -Spezifikationen
onsemi - HUFA76419P3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HUFA76419P3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 29A, 10V  
Verlustleistung (max) 75W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc)  
Grundproduktnummer HUFA76  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi HUFA76419P3.

Produkteigenschaften HUFA76419P3 HUFA76419D3S HUFA76419S3S HUFA76419D3S
Artikelnummer HUFA76419P3 HUFA76419D3S HUFA76419S3S HUFA76419D3S
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-252, (D-Pak) D²PAK (TO-263) TO-252AA
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 29A, 10V 37mOhm @ 20A, 10V 35mOhm @ 29A, 10V 37mOhm @ 20A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer HUFA76 - HUFA76 HUFA76
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Verlustleistung (max) 75W (Tc) 75W (Tc) 75W (Tc) 75W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 27.5 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 27.5 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc) 20A (Tc) 29A (Tc) 20A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™

HUFA76419P3 Datenblatt PDF

Laden Sie HUFA76419P3 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für HUFA76419P3 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf HUFA76419P3, HUFA76419S3S.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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