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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF720
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF720 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
IRF720
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-IRF720
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF720.pdf
vorrätig: 145580

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Anzahl

Spezifikation

IRF720 Tech -Spezifikationen
onsemi - IRF720 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - IRF720

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.3A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi IRF720.

Produkteigenschaften IRF720 IRF7201 IRF7201TRPBF IRF7201PBF
Artikelnummer IRF720 IRF7201 IRF7201TRPBF IRF7201PBF
Hersteller onsemi Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB 8-SO 8-SO 8-SO
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.3A (Tc) 7.3A (Tc) 7.3A (Tc) 7.3A (Tc)
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 30 V 30 V 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 2A, 10V 30mOhm @ 7.3A, 10V 30mOhm @ 7.3A, 10V 30mOhm @ 7.3A, 10V

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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