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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFS450B
IRFS450B Image
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IRFS450B - onsemi

Hersteller Artikelnummer
IRFS450B
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS450B
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3PF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3 Full Pack
Datenblatt
IRFS450B.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3630

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Anzahl

Spezifikation

IRFS450B Tech -Spezifikationen
onsemi - IRFS450B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - IRFS450B

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PF  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 4.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 96W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 113 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.6A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFS450  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi IRFS450B.

Produkteigenschaften IRFS450B IRFS4510PBF IRFS4410ZPBF IRFS4610PBF
Artikelnummer IRFS450B IRFS4510PBF IRFS4410ZPBF IRFS4610PBF
Hersteller onsemi Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 96W (Tc) 140W (Tc) 230W (Tc) 190W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 25 V 3180 pF @ 50 V 4820 pF @ 50 V 3550 pF @ 50 V
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Paket Tube Tube Bulk Tube
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 150µA 4V @ 100µA
Grundproduktnummer IRFS450 - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 4.8A, 10V 13.9mOhm @ 37A, 10V 9mOhm @ 58A, 10V 14mOhm @ 44A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 100 V 100 V 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 113 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-3PF PG-TO263-3 PG-TO263-3-2 D2PAK
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.6A (Tc) 61A (Tc) 97A (Tc) 73A (Tc)

IRFS450B Datenblatt PDF

Laden Sie IRFS450B PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für IRFS450B - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Datenblätter
IRFS450B.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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