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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLM210ATF
IRLM210ATF Image
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IRLM210ATF - onsemi

Hersteller Artikelnummer
IRLM210ATF
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-IRLM210ATF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 770MA SOT223-4
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
IRLM210A.pdf
vorrätig: 4490

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Spezifikation

IRLM210ATF Tech -Spezifikationen
onsemi - IRLM210ATF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - IRLM210ATF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-4  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 390mA, 5V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 770mA (Ta)  
Grundproduktnummer IRLM21  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi IRLM210ATF.

Produkteigenschaften IRLM210ATF IRLM110ATF IRLM220ATF IRLM110ATF
Artikelnummer IRLM210ATF IRLM110ATF IRLM220ATF IRLM110ATF
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Grundproduktnummer IRLM21 - IRLM220 IRLM11
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 390mA, 5V 440mOhm @ 750mA, 5V 800mOhm @ 570mA, 5V 440mOhm @ 750mA, 5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 770mA (Ta) 1.5A (Tc) 1.13A (Ta) 1.5A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 5 V 8 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V 8 nC @ 5 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 1.8W (Tc) 2.2W (Tc) 2W (Tc) 2.2W (Tc)
Serie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V 5V 5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 100 V 200 V 100 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V 235 pF @ 25 V 430 pF @ 25 V 235 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA - 2V @ 250µA

IRLM210ATF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLM210ATF PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für IRLM210ATF - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
IRLM210A.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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