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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelKSA1015YTA
KSA1015YTA Image
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KSA1015YTA - onsemi

Hersteller Artikelnummer
KSA1015YTA
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-KSA1015YTA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 50V 0.15A TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Datenblatt
KSA1015.pdf
RoHS Status
vorrätig: 428490

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Anzahl

Spezifikation

KSA1015YTA Tech -Spezifikationen
onsemi - KSA1015YTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - KSA1015YTA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3  
Serie -  
Leistung - max 400 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Cut Tape (CT)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 80MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 2mA, 6V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 150 mA  
Grundproduktnummer KSA1015  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi KSA1015YTA.

Produkteigenschaften KSA1015YTA KSA1156OS KSA1013OTA KSA1156OS
Artikelnummer KSA1015YTA KSA1156OS KSA1013OTA KSA1156OS
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Strom - Kollektor (Ic) (max) 150 mA 500 mA 1 A 500 mA
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-225AA, TO-126-3 TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) TO-225AA, TO-126-3
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 2mA, 6V 60 @ 100mA, 5V 100 @ 200mA, 5V 60 @ 100mA, 5V
Grundproduktnummer KSA1015 - KSA1013 KSA1156
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 400 V 160 V 400 V
Paket Cut Tape (CT) Bulk Cut Tape (CT) Bulk
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100µA (ICBO) 1µA (ICBO) 100µA (ICBO)
Frequenz - Übergang 80MHz - 50MHz -
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA 1V @ 10mA, 100mA 1.5V @ 50mA, 500mA 1V @ 10mA, 100mA
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 TO-126-3 TO-92-3 TO-126-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Leistung - max 400 mW 1 W 900 mW 1 W

KSA1015YTA Datenblatt PDF

Laden Sie KSA1015YTA PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für KSA1015YTA - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Copper Lead Frame 12/Oct/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 15/Feb/2023.pdf
Datenblätter
KSA1015.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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