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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelKSC1008YBU
KSC1008YBU Image
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KSC1008YBU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
KSC1008YBU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-KSC1008YBU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Datenblatt
KSC1008OBU.pdf
RoHS Status
vorrätig: 848800

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Spezifikation

KSC1008YBU Tech -Spezifikationen
onsemi - KSC1008YBU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - KSC1008YBU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 500mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3  
Serie -  
Leistung - max 800 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 50MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 50mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 700 mA  
Grundproduktnummer KSC1008  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi KSC1008YBU.

Produkteigenschaften KSC1008YBU KSC1009YTA KSC1008GTA KSC1008YTA
Artikelnummer KSC1008YBU KSC1009YTA KSC1008GTA KSC1008YTA
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Leistung - max 800 mW 800 mW 800 mW 800 mW
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Grundproduktnummer KSC1008 KSC1009 KSC1008 KSC1008
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Paket Bulk Tape & Box (TB) Bulk Cut Tape (CT)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 500mA 700mV @ 20mA, 200mA 400mV @ 50mA, 500mA 400mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 50mA, 2V 120 @ 50mA, 2V 200 @ 500mA, 2V 120 @ 50mA, 2V
Frequenz - Übergang 50MHz 50MHz 50MHz 50MHz
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 700 mA 700 mA 700 mA 700 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V 140 V 60 V 60 V
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN

KSC1008YBU Datenblatt PDF

Laden Sie KSC1008YBU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für KSC1008YBU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Copper Lead Frame 12/Oct/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 15/Feb/2023.pdf
Datenblätter
KSC1008OBU.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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