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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelKSC5026MOS
onsemi
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KSC5026MOS - onsemi

Hersteller Artikelnummer
KSC5026MOS
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-KSC5026MOS
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 800V 1.5A TO126-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-225AA, TO-126-3
Datenblatt
KSC5026M.pdf
RoHS Status
vorrätig: 89920

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Anzahl

Spezifikation

KSC5026MOS Tech -Spezifikationen
onsemi - KSC5026MOS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - KSC5026MOS

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 800 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 150mA, 750mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-126-3  
Serie -  
Leistung - max 20 W  
Verpackung / Gehäuse TO-225AA, TO-126-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 15MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 100mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1.5 A  
Grundproduktnummer KSC5026  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi KSC5026MOS.

Produkteigenschaften KSC5026MOS KSC5027OTU KSC5039FTU KSC5026MOS
Artikelnummer KSC5026MOS KSC5027OTU KSC5039FTU KSC5026MOS
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Leistung - max 20 W 50 W 30 W 20 W
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-126-3 TO-220-3 TO-220F-3 TO-126-3
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1.5 A 3 A 5 A 1.5 A
Grundproduktnummer KSC5026 KSC5027 - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 150mA, 750mA 2V @ 300mA, 1.5A 1.5V @ 500mA, 2.5A 2V @ 150mA, 750mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 800 V 800 V 400 V 800 V
Verpackung / Gehäuse TO-225AA, TO-126-3 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-225AA, TO-126-3
Paket Bulk Tube Tube Bulk
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO) 10µA (ICBO) 10µA (ICBO) 10µA (ICBO)
Frequenz - Übergang 15MHz 15MHz 10MHz 15MHz
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 100mA, 5V 20 @ 200mA, 5V 10 @ 300mA, 5V 20 @ 100mA, 5V
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Serie - - - -

KSC5026MOS Datenblatt PDF

Laden Sie KSC5026MOS PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für KSC5026MOS - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Datenblätter
KSC5026M.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
KSC5026MOS A/T Site 10/Mar/2021.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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