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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelKSH122ITU
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

KSH122ITU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
KSH122ITU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-KSH122ITU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 8A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
KSH122(I).pdf
RoHS Status
vorrätig: 4560

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Anzahl

Spezifikation

KSH122ITU Tech -Spezifikationen
onsemi - KSH122ITU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - KSH122ITU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A  
Transistor-Typ NPN - Darlington  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie -  
Leistung - max 1.75 W  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 4A, 4V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 8 A  
Grundproduktnummer KSH12  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi KSH122ITU.

Produkteigenschaften KSH122ITU KSH122TM KSH117TF KSH122TF
Artikelnummer KSH122ITU KSH122TM KSH117TF KSH122TF
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A 4V @ 80mA, 8A 3V @ 40mA, 4A 4V @ 80mA, 8A
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 4A, 4V 1000 @ 4A, 4V 1000 @ 2A, 3V 1000 @ 4A, 4V
Transistor-Typ NPN - Darlington NPN - Darlington PNP - Darlington NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max) 8 A 8 A 2 A 8 A
Leistung - max 1.75 W 1.75 W 1.75 W 1.75 W
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA 10µA 20µA 10µA
Supplier Device-Gehäuse I-PAK D-Pak D-Pak TO-252-3 (DPAK)
Grundproduktnummer KSH12 KSH12 KSH11 -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V 100 V 100 V 100 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie - - - -
Frequenz - Übergang - - 25MHz -

KSH122ITU Datenblatt PDF

Laden Sie KSH122ITU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für KSH122ITU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices EOL 12/Apr/2019.pdf
Datenblätter
KSH122(I).pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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