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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelMCH3476-TL-H
MCH3476-TL-H Image
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MCH3476-TL-H - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MCH3476-TL-H
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MCH3476-TL-H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 2A SC70FL/MCPH3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-3 Flat Leads
Datenblatt
MCH3476.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5230

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Anzahl

Spezifikation

MCH3476-TL-H Tech -Spezifikationen
onsemi - MCH3476-TL-H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MCH3476-TL-H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-70FL/MCPH3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 1A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 800mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-3 Flat Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 128 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta)  
Grundproduktnummer MCH3476  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MCH3476-TL-H.

Produkteigenschaften MCH3476-TL-H MCH3478-TL-W MCH3474-TL-E MCH3477-TL-H
Artikelnummer MCH3476-TL-H MCH3478-TL-W MCH3474-TL-E MCH3477-TL-H
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verlustleistung (max) 800mW (Ta) 800mW (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8 nC @ 4.5 V 1.7 nC @ 4.5 V 4.7 nC @ 4.5 V 5.1 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±12V
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse SC-70FL/MCPH3 3-MCPH SC-70FL/MCPH3 SC-70FL/MCPH3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 1A, 4.5V 165mOhm @ 1A, 4.5V 50mOhm @ 2A, 4.5V 38mOhm @ 2A, 4.5V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse SOT-23-3 Flat Leads SC-70, SOT-323 SOT-23-3 Flat Leads SOT-23-3 Flat Leads
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 30 V 20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta) 2A (Ta) 4A (Ta) 4.5A (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 128 pF @ 10 V 130 pF @ 10 V 430 pF @ 10 V 410 pF @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer MCH3476 MCH3478 MCH34 MCH3477
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

MCH3476-TL-H Datenblatt PDF

Laden Sie MCH3476-TL-H PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MCH3476-TL-H - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Raw Material Change 22/Jul/2015.pdf Copper Wire Update 09/Apr/2015.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Transfer 25/Sep/2014.pdf
Datenblätter
MCH3476.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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