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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelMCH6353-TL-W
MCH6353-TL-W Image
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MCH6353-TL-W - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MCH6353-TL-W
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MCH6353-TL-W
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 6A 6MCPH
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SMD, Flat Leads
Datenblatt
MCH6353.pdf
RoHS Status
vorrätig: 248120

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Anzahl

Spezifikation

MCH6353-TL-W Tech -Spezifikationen
onsemi - MCH6353-TL-W Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MCH6353-TL-W

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-MCPH  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.4W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 6 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Ta)  
Grundproduktnummer MCH6353  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MCH6353-TL-W.

Produkteigenschaften MCH6353-TL-W MCH6351-TL-W MCH6344-TL-H MCH6341-TL-E
Artikelnummer MCH6353-TL-W MCH6351-TL-W MCH6344-TL-H MCH6341-TL-E
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 12 V 30 V 30 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 6 V 2200 pF @ 6 V 172 pF @ 10 V 430 pF @ 10 V
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3A, 4.5V 16.9mOhm @ 4.5A, 4.5V 150mOhm @ 1A, 10V 59mOhm @ 3A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Serie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 4V, 10V 4V, 10V
Supplier Device-Gehäuse 6-MCPH 6-MCPH 6-MCPH 6-MCPH
Verlustleistung (max) 1.4W (Ta) 1.5W (Ta) 800mW (Ta) 1.5W (Ta)
Vgs (Max) ±10V ±10V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Ta) 9A (Ta) 2A (Ta) 5A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 20.5 nC @ 4.5 V 3.9 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Grundproduktnummer MCH6353 MCH6351 MCH6344 MCH63

MCH6353-TL-W Datenblatt PDF

Laden Sie MCH6353-TL-W PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MCH6353-TL-W - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
MCH6353.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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