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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysMCH6602-TL-E
onsemi
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MCH6602-TL-E - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MCH6602-TL-E
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MCH6602-TL-E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A MCPH6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SMD, Flat Leads
Datenblatt
MCH6602.pdf
vorrätig: 3640

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Anzahl

Spezifikation

MCH6602-TL-E Tech -Spezifikationen
onsemi - MCH6602-TL-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MCH6602-TL-E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-MCPH  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 80mA, 4V  
Leistung - max 800mW  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.58nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 350mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer MCH6602  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MCH6602-TL-E.

Produkteigenschaften MCH6602-TL-E MCH6604-TL-E MCH6606-TL-E MCH6603-TL-H
Artikelnummer MCH6602-TL-E MCH6604-TL-E MCH6606-TL-E MCH6603-TL-H
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 10V 6.6pF @ 10V - 7.4pF @ 10V
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads - 6-SMD, Flat Leads
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) - 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 6-MCPH 6-MCPH - 6-MCPH
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 80mA, 4V 7.8Ohm @ 50mA, 4V - 23Ohm @ 40mA, 4V
Serie - - * -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.58nC @ 10V 1.57nC @ 10V - 1.4nC @ 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 350mA 250mA - 140mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer MCH6602 MCH6604 MCH6606 MCH6603
Leistung - max 800mW 800mW - 800mW
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - 2 P-Channel (Dual)
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 50V - 50V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate, 1.5V Drive

MCH6602-TL-E Datenblatt PDF

Laden Sie MCH6602-TL-E PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MCH6602-TL-E - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Raw Material Change 22/Jul/2015.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 19/Dec/2017.pdf
Datenblätter
MCH6602.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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