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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelMGSF1N02LT1G
MGSF1N02LT1G Image
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MGSF1N02LT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MGSF1N02LT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MGSF1N02LT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
MGSF1N02L, MVGSF1N02L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 248540

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Anzahl

Spezifikation

MGSF1N02LT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - MGSF1N02LT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MGSF1N02LT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 1.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 400mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 125 pF @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 750mA (Ta)  
Grundproduktnummer MGSF1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MGSF1N02LT1G.

Produkteigenschaften MGSF1N02LT1G MGSF1N03LT1G MGSF1N02LT1 MGSF1N02ELT1G
Artikelnummer MGSF1N02LT1G MGSF1N03LT1G MGSF1N02LT1 MGSF1N02ELT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 20 V -
Grundproduktnummer MGSF1 MGSF1 MGSF1 MGSF1
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 1.2A, 10V 100mOhm @ 1.2A, 10V 90mOhm @ 1.2A, 10V -
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.4V @ 250µA -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 125 pF @ 5 V 140 pF @ 5 V 125 pF @ 5 V -
Serie - - - *
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) -
Verlustleistung (max) 400mW (Ta) 420mW (Ta) 400mW (Ta) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 750mA (Ta) 1.6A (Ta) 750mA (Ta) -

MGSF1N02LT1G Datenblatt PDF

Laden Sie MGSF1N02LT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MGSF1N02LT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 16/Sep/2016.pdf SOT-23 Pkgs MOSFETS Copper to Gold Wire 8/Dec/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mold Compound 07/Sep/2019.pdf
Datenblätter
MGSF1N02L, MVGSF1N02L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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