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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMJ11032G
onsemi
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MJ11032G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MJ11032G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MJ11032G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN DARL 120V 50A TO204
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-204AE
Datenblatt
MJ11028,29,30,32,33.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4255

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Anzahl

Spezifikation

MJ11032G Tech -Spezifikationen
onsemi - MJ11032G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MJ11032G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 120 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 500mA, 50A  
Transistor-Typ NPN - Darlington  
Supplier Device-Gehäuse TO-204 (TO-3)  
Serie -  
Leistung - max 300 W  
Verpackung / Gehäuse TO-204AE  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tray  
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 25A, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 2mA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 50 A  
Grundproduktnummer MJ11032  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MJ11032G.

Produkteigenschaften MJ11032G MJ11028 MJ13333 MJ11033G
Artikelnummer MJ11032G MJ11028 MJ13333 MJ11033G
Hersteller onsemi NTE Electronics, Inc Solid State Inc. Fairchild Semiconductor
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Frequenz - Übergang - - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 500mA, 50A 2.5V @ 250mA, 25A 5V @ 6.7A, 20A 3.5V @ 500mA, 50A
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) - -65°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-204 (TO-3) TO-204 (TO-3) TO-3 TO-204 (TO-3)
Verpackung / Gehäuse TO-204AE TO-204AE TO-204AA, TO-3 TO-204AE
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 25A, 5V 1000 @ 25A, 5V 10 @ 5A, 5V 1000 @ 25A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 50 A 50 A 20 A 50 A
Strom - Collector Cutoff (Max) 2mA 2mA 5mA 2mA
Transistor-Typ NPN - Darlington NPN - Darlington NPN PNP - Darlington
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 120 V 60 V 400 V 120 V
Grundproduktnummer MJ11032 - - -
Serie - - - -
Paket Tray Bag Bulk Bulk
Leistung - max 300 W 300 W 275 W 300 W

MJ11032G Datenblatt PDF

Laden Sie MJ11032G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MJ11032G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
MJ11028,29,30,32,33.pdf

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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