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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMJB42CT4G
MJB42CT4G Image
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MJB42CT4G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MJB42CT4G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MJB42CT4G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 100V 6A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
MJB(41,42)C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 39300

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Anzahl

Spezifikation

MJB42CT4G Tech -Spezifikationen
onsemi - MJB42CT4G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MJB42CT4G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 600mA, 6A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK  
Serie -  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 3MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 15 @ 3A, 4V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 700µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 6 A  
Grundproduktnummer MJB42  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MJB42CT4G.

Produkteigenschaften MJB42CT4G ZTX789ASTOA MJB41CG MJB45H11T4G
Artikelnummer MJB42CT4G ZTX789ASTOA MJB41CG MJB45H11T4G
Hersteller onsemi Diodes Incorporated onsemi onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK E-Line (TO-92 compatible) D²PAK D²PAK
Serie - - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V 25 V 100 V 80 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB E-Line-3, Formed Leads TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Leistung - max 2 W 1 W 2 W 2 W
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 600mA, 6A 500mV @ 100mA, 3A 1.5V @ 600mA, 6A 1V @ 400mA, 8A
Frequenz - Übergang 3MHz 100MHz 3MHz 40MHz
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 15 @ 3A, 4V 300 @ 10mA, 2V 15 @ 3A, 4V 40 @ 4A, 1V
Transistor-Typ PNP PNP NPN PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max) 6 A 3 A 6 A 10 A
Strom - Collector Cutoff (Max) 700µA 100nA (ICBO) 700µA 10µA
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer MJB42 ZTX789A MJB41 MJB45

MJB42CT4G Datenblatt PDF

Laden Sie MJB42CT4G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MJB42CT4G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
MJB(41,42)C.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Cancellation 13/Aug/2020.pdf Mult Dev Marking Chg 30/Jul/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 14/Dec/2022.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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