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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMJD122-1G
MJD122-1G Image
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MJD122-1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MJD122-1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MJD122-1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
MJD122-1G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4370

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Anzahl

Spezifikation

MJD122-1G Tech -Spezifikationen
onsemi - MJD122-1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MJD122-1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A  
Transistor-Typ NPN - Darlington  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie -  
Leistung - max 1.75 W  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 4MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 4A, 4V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 8 A  
Grundproduktnummer MJD122  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MJD122-1G.

Produkteigenschaften MJD122-1G MJD122TF MJD122T4 MJD117T4
Artikelnummer MJD122-1G MJD122TF MJD122T4 MJD117T4
Hersteller onsemi onsemi onsemi STMicroelectronics
Strom - Kollektor (Ic) (max) 8 A 8 A 8 A 2 A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Transistor-Typ NPN - Darlington NPN - Darlington NPN - Darlington PNP - Darlington
Paket Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Frequenz - Übergang 4MHz - 4MHz 25MHz
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 4A, 4V 1000 @ 4A, 4V 1000 @ 4A, 4V 1000 @ 2A, 3V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A 4V @ 80mA, 8A 2V @ 15mA, 4A 3V @ 40mA, 4A
Leistung - max 1.75 W 1.75 W 20 W 20 W
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA 10µA 10µA 20µA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V 100 V 100 V 100 V
Grundproduktnummer MJD122 MJD12 MJD12 MJD117
Supplier Device-Gehäuse DPAK D-Pak DPAK DPAK
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

MJD122-1G Datenblatt PDF

Laden Sie MJD122-1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MJD122-1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Obsolete Notice 30/Jun/2022.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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