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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMJE18008G
MJE18008G Image
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MJE18008G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MJE18008G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MJE18008G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 450V 8A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
MJE18008, MJF18008.pdf
RoHS Status
vorrätig: 41003

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Anzahl

Spezifikation

MJE18008G Tech -Spezifikationen
onsemi - MJE18008G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MJE18008G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 450 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 900mA, 4.5V  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie SWITCHMODE™  
Leistung - max 125 W  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 13MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 14 @ 1A, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 8 A  
Grundproduktnummer MJE18008  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MJE18008G.

Produkteigenschaften MJE18008G MJE18002 MJE180STU MJE181STU
Artikelnummer MJE18008G MJE18002 MJE180STU MJE181STU
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220 TO-126-3 TO-126-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Frequenz - Übergang 13MHz 13MHz 50MHz 50MHz
Paket Tube Tube Bulk Tube
Grundproduktnummer MJE18008 MJE18 - MJE181
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Leistung - max 125 W 50 W 1.5 W 1.5 W
Serie SWITCHMODE™ SWITCHMODE™ - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA 100µA 100µA (ICBO) 100µA (ICBO)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 14 @ 1A, 5V 14 @ 200mA, 5V 50 @ 100mA, 1V 50 @ 100mA, 1V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 450 V 450 V 40 V 60 V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 900mA, 4.5V 500mV @ 200mA, 1A 1.7V @ 600mA, 3A 1.7V @ 600mA, 3A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 8 A 2 A 3 A 3 A
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN

MJE18008G Datenblatt PDF

Laden Sie MJE18008G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MJE18008G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Bipolar Power Transistor TO220 Pkg Assembly & Tes.pdf
Datenblätter
MJE18008, MJF18008.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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