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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMJH11020G
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MJH11020G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MJH11020G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MJH11020G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN DARL 200V 15A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
MJH11017-022.pdf
RoHS Status
vorrätig: 14107

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Anzahl

Spezifikation

MJH11020G Tech -Spezifikationen
onsemi - MJH11020G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MJH11020G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 200 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 4V @ 150mA, 15A  
Transistor-Typ NPN - Darlington  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie -  
Leistung - max 150 W  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 3MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 400 @ 10A, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 15 A  
Grundproduktnummer MJH11020  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MJH11020G.

Produkteigenschaften MJH11020G MJH11021G MJF122 MJD117TF
Artikelnummer MJH11020G MJH11021G MJF122 MJD117TF
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3 Full Pack TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-220FP TO-252-3 (DPAK)
Serie - - - -
Transistor-Typ NPN - Darlington PNP - Darlington NPN - Darlington PNP - Darlington
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Strom - Kollektor (Ic) (max) 15 A 15 A 5 A 2 A
Leistung - max 150 W 150 W 2 W 1.75 W
Frequenz - Übergang 3MHz 3MHz - 25MHz
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 4V @ 150mA, 15A 4V @ 150mA, 15A 3.5V @ 20mA, 5A 3V @ 40mA, 4A
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA 1mA 10µA 20µA
Grundproduktnummer MJH11020 MJH11021 MJF12 -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 200 V 250 V 100 V 100 V
Paket Tube Tube Tube Bulk
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 400 @ 10A, 5V 400 @ 10A, 5V 2000 @ 3A, 3V 1000 @ 2A, 3V

MJH11020G Datenblatt PDF

Laden Sie MJH11020G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MJH11020G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
TO-218 to TO-247 09/Mar/2012.pdf
Datenblätter
MJH11017-022.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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