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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedMMUN2113LT1G
MMUN2113LT1G Image
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MMUN2113LT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MMUN2113LT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MMUN2113LT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
MUNx113, MMUN2113L, DTA144Exx, NSBA144EF3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1594100

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Spezifikation

MMUN2113LT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - MMUN2113LT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MMUN2113LT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Leistung - max 246 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer MMUN2113  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MMUN2113LT1G.

Produkteigenschaften MMUN2113LT1G MMUN2131LT1G MMUN2111LT1G MMUN2116LT1
Artikelnummer MMUN2113LT1G MMUN2131LT1G MMUN2111LT1G MMUN2116LT1
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V 8 @ 5mA, 10V 35 @ 5mA, 10V -
Leistung - max 246 mW 246 mW 246 mW -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms 2.2 kOhms 10 kOhms -
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 5mA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA -
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased -
Widerstand - Basis (R1) 47 kOhms 2.2 kOhms 10 kOhms -
Grundproduktnummer MMUN2113 MMUN2131 MMUN2111 MMUN2116
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA -

MMUN2113LT1G Datenblatt PDF

Laden Sie MMUN2113LT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MMUN2113LT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 16/Sep/2016.pdf Glue Mount Process 11/July/2008.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mold Compound 02/Apr/2020.pdf
Datenblätter
MUNx113, MMUN2113L, DTA144Exx, NSBA144EF3.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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