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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMPS8099G
MPS8099G Image
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MPS8099G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MPS8099G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MPS8099G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 80V 0.5A TO92
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Datenblatt
MPS8099, 8599.pdf
vorrätig: 3680

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Anzahl

Spezifikation

MPS8099G Tech -Spezifikationen
onsemi - MPS8099G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MPS8099G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-92 (TO-226)  
Serie -  
Leistung - max 625 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 Long Body  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 150MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer MPS809  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MPS8099G.

Produkteigenschaften MPS8099G MPS8098 MPS8098 MPS8550-C
Artikelnummer MPS8099G MPS8098 MPS8098 MPS8550-C
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor KEC
Frequenz - Übergang 150MHz 150MHz 150MHz -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V 60 V 60 V -
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 Long Body TO-226-3, TO-92-3 Long Body TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads -
Supplier Device-Gehäuse TO-92 (TO-226) TO-92 (TO-226) TO-92 (TO-226) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA 100nA 100nA -
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 500 mA 500 mA -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 100 @ 1mA, 5V -
Transistor-Typ NPN NPN NPN -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA 400mV @ 5mA, 100mA 400mV @ 5mA, 100mA -
Grundproduktnummer MPS809 MPS809 - -
Paket Bulk Bulk Bulk -
Leistung - max 625 mW 625 mW 625 mW -

MPS8099G Datenblatt PDF

Laden Sie MPS8099G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MPS8099G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 08/Nov/2014.pdf Multiple Devices Revision 26/Nov/2014.pdf
Datenblätter
MPS8099, 8599.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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    +00852 9146 4856

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MPS8099G

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32D-MPS8099G

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