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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelMTP3055VL
MTP3055VL Image
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MTP3055VL - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MTP3055VL
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MTP3055VL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 12A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
MTP3055VL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 74660

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Anzahl

Spezifikation

MTP3055VL Tech -Spezifikationen
onsemi - MTP3055VL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MTP3055VL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 6A, 5V  
Verlustleistung (max) 48W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer MTP3055  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MTP3055VL.

Produkteigenschaften MTP3055VL MTP2P50E MTP2P50EG MTP3055V
Artikelnummer MTP3055VL MTP2P50E MTP2P50EG MTP3055V
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220 TO-220 TO-220
Vgs (Max) ±15V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 2A (Tc) 2A (Tc) 12A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V 1183 pF @ 25 V 1183 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer MTP3055 MTP2P MTP2P MTP30
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 6A, 5V 6Ohm @ 1A, 10V 6Ohm @ 1A, 10V 150mOhm @ 6A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 5 V 27 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 48W (Tc) 75W (Tc) 75W (Tc) 48W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 500 V 500 V 60 V

MTP3055VL Datenblatt PDF

Laden Sie MTP3055VL PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MTP3055VL - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf MTP3055VL.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 30/Jun/2004.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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