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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelMTY100N10E
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

MTY100N10E - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MTY100N10E
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MTY100N10E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
MTY100N10E.pdf
vorrätig: 4430

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Anzahl

Spezifikation

MTY100N10E Tech -Spezifikationen
onsemi - MTY100N10E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MTY100N10E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10640 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 378 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer MTY10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MTY100N10E.

Produkteigenschaften MTY100N10E ZVP2110ASTZ MTY25N60E AOD4130
Artikelnummer MTY100N10E ZVP2110ASTZ MTY25N60E AOD4130
Hersteller onsemi Diodes Incorporated onsemi Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Paket Tube Tape & Box (TB) Bulk Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10640 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V - 1900 pF @ 30 V
Typ FET N-Channel P-Channel - N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA E-Line-3 - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 378 nC @ 10 V - - 34 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3.5V @ 1mA - 2.8V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Grundproduktnummer MTY10 ZVP2110 - AOD41
Supplier Device-Gehäuse TO-264 E-Line (TO-92 compatible) - TO-252 (DPAK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 50A, 10V 8Ohm @ 375mA, 10V - 24mOhm @ 20A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole - Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V - 60 V
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 700mW (Ta) - 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Serie - - * -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 230mA (Ta) - 6.5A (Ta), 30A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)

MTY100N10E Datenblatt PDF

Laden Sie MTY100N10E PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MTY100N10E - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 30/Jun/2004.pdf
Datenblätter
MTY100N10E.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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