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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedMUN5116DW1T1G
MUN5116DW1T1G Image
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MUN5116DW1T1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MUN5116DW1T1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MUN5116DW1T1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
MUN5116DW1, NSBA143TDXV6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 624750

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Spezifikation

MUN5116DW1T1G Tech -Spezifikationen
onsemi - MUN5116DW1T1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MUN5116DW1T1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA  
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) -  
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms  
Leistung - max 250mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 160 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer MUN5116  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MUN5116DW1T1G.

Produkteigenschaften MUN5116DW1T1G MUN5115DW1T1G MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1
Artikelnummer MUN5116DW1T1G MUN5115DW1T1G MUN5114DW1T1G MUN5114DW1T1
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms 10kOhms 10kOhms 10kOhms
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Leistung - max 250mW 250mW 250mW 250mW
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
Grundproduktnummer MUN5116 MUN5115 MUN5114 MUN51
Serie - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 160 @ 5mA, 10V 160 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Frequenz - Übergang - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Widerstand - Emitterbasis (R2) - - 47kOhms 47kOhms

MUN5116DW1T1G Datenblatt PDF

Laden Sie MUN5116DW1T1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MUN5116DW1T1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Copper Wire 08/Jun/2009.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly 30/Jul/2020.pdf
Datenblätter
MUN5116DW1, NSBA143TDXV6.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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