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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedMUN5212DW1T1
MUN5212DW1T1 Image
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MUN5212DW1T1 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MUN5212DW1T1
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MUN5212DW1T1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
MUN5211DW1T1 Series.pdf
vorrätig: 4420

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Spezifikation

MUN5212DW1T1 Tech -Spezifikationen
onsemi - MUN5212DW1T1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MUN5212DW1T1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 22kOhms  
Leistung - max 250mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer MUN52  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MUN5212DW1T1.

Produkteigenschaften MUN5212DW1T1 MUN5211DW1T1 MUN5135DW1T1G MUN5211DW1T1G
Artikelnummer MUN5212DW1T1 MUN5211DW1T1 MUN5135DW1T1G MUN5211DW1T1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22kOhms 10kOhms 47kOhms 10kOhms
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Leistung - max 250mW 250mW 250mW 250mW
Grundproduktnummer MUN52 MUN52 MUN5135 MUN5211
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 5mA, 10V 35 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 35 @ 5mA, 10V
Frequenz - Übergang - - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Widerstand - Basis (R1) 22kOhms 10kOhms 2.2kOhms 10kOhms

MUN5212DW1T1 Datenblatt PDF

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Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 30/Jun/2006.pdf
Datenblätter
MUN5211DW1T1 Series.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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