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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedMUN5311DW1T2G
MUN5311DW1T2G Image
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MUN5311DW1T2G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
MUN5311DW1T2G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-MUN5311DW1T2G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
MUN5311DW1, NSBC114EPXxx.pdf
RoHS Status
vorrätig: 586850

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Spezifikation

MUN5311DW1T2G Tech -Spezifikationen
onsemi - MUN5311DW1T2G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - MUN5311DW1T2G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms  
Leistung - max 250mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer MUN5311  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi MUN5311DW1T2G.

Produkteigenschaften MUN5311DW1T2G MUN5313DW1T1 MUN5237DW1T1 MUN5315DW1T1
Artikelnummer MUN5311DW1T2G MUN5313DW1T1 MUN5237DW1T1 MUN5315DW1T1
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 160 @ 5mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
Leistung - max 250mW 250mW 250mW 250mW
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms 47kOhms 22kOhms -
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Serie - - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 5mA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms 47kOhms 47kOhms 10kOhms
Grundproduktnummer MUN5311 MUN53 MUN52 MUN53
Frequenz - Übergang - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363

MUN5311DW1T2G Datenblatt PDF

Laden Sie MUN5311DW1T2G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für MUN5311DW1T2G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Copper Wire 08/Jun/2009.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly 30/Jul/2020.pdf
Datenblätter
MUN5311DW1, NSBC114EPXxx.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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