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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberNCP51705MNTXG
NCP51705MNTXG Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NCP51705MNTXG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NCP51705MNTXG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NCP51705MNTXG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
24-VFQFN Exposed Pad
Datenblatt
NCP51705.pdf
RoHS Status
vorrätig: 17116

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Anzahl

Spezifikation

NCP51705MNTXG Tech -Spezifikationen
onsemi - NCP51705MNTXG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NCP51705MNTXG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannungsversorgung 10V ~ 22V  
Supplier Device-Gehäuse 24-QFN (4x4)  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 8ns, 8ns  
Verpackung / Gehäuse 24-VFQFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 1.2V, 1.6V  
Eingabetyp Inverting, Non-Inverting  
Gate-Typ SiC MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 6A, 6A  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer NCP51705  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NCP51705MNTXG.

Produkteigenschaften NCP51705MNTXG NCP5181DR2G NCP5183DR2G NCP5181PG
Artikelnummer NCP51705MNTXG NCP5181DR2G NCP5183DR2G NCP5181PG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Angetriebene Konfiguration Low-Side Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Serie - - - -
Logikspannung - VIL, VIH 1.2V, 1.6V 0.8V, 2.3V 1.2V, 2.5V 0.8V, 2.3V
Ladestrom Single Independent Independent Independent
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 8ns, 8ns 40ns, 20ns 12ns, 12ns 40ns, 20ns
Anzahl der Treiber 1 2 2 2
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Eingabetyp Inverting, Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Spannungsversorgung 10V ~ 22V 10V ~ 20V 9V ~ 18V 10V ~ 20V
Gate-Typ SiC MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Supplier Device-Gehäuse 24-QFN (4x4) 8-SOIC 8-SOIC 8-PDIP
Verpackung / Gehäuse 24-VFQFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 6A, 6A 1.4A, 2.2A 4.3A, 4.3A 1.4A, 2.2A
Grundproduktnummer NCP51705 NCP5181 NCP5183 NCP5181
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

NCP51705MNTXG Datenblatt PDF

Laden Sie NCP51705MNTXG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NCP51705MNTXG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf Material Declaration NCP51705MNTXG.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site Expansion 25/Jan/2022.pdf
Datenblätter
NCP51705.pdf
Andere verwandte Dokumente
SiC MOSFETs: Gate Drive Optimization.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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