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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberNCP81151BMNTBG
NCP81151BMNTBG Image
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NCP81151BMNTBG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NCP81151BMNTBG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NCP81151BMNTBG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-VFDFN Exposed Pad
Datenblatt
NCP81151B.pdf
NCP81151B.pdf
RoHS Status
vorrätig: 240990

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Anzahl

Spezifikation

NCP81151BMNTBG Tech -Spezifikationen
onsemi - NCP81151BMNTBG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NCP81151BMNTBG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannungsversorgung 4.5V ~ 5.5V  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (2x2)  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 16ns, 11ns  
Verpackung / Gehäuse 8-VFDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.6V, 3.3V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 40 V  
Gate-Typ N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) -  
Ladestrom Synchronous  
Grundproduktnummer NCP81151  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NCP81151BMNTBG.

Produkteigenschaften NCP81151BMNTBG NCP81152MNTWG NCP81161MNTBG NCP81146MNTBG
Artikelnummer NCP81151BMNTBG NCP81152MNTWG NCP81161MNTBG NCP81146MNTBG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 40 V 35 V 35 V 35 V
Verpackung / Gehäuse 8-VFDFN Exposed Pad 16-VFQFN Exposed Pad 8-VFDFN Exposed Pad 8-VFDFN Exposed Pad
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Anzahl der Treiber 2 4 2 2
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) 0°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Ladestrom Synchronous Synchronous Synchronous Synchronous
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (2x2) 16-QFN (2.5x3.5) 8-DFN (2x2) 8-DFN (2x2)
Grundproduktnummer NCP81151 NCP81152 NCP81161 NCP81146
Serie - - - -
Gate-Typ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Logikspannung - VIL, VIH 0.6V, 3.3V 0.7V, 3.4V 1V, 2V 1V, 2V
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) - - - -
Spannungsversorgung 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 13.2V 4.5V ~ 13.2V
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 16ns, 11ns 16ns, 11ns 16ns, 11ns 16ns, 11ns

NCP81151BMNTBG Datenblatt PDF

Laden Sie NCP81151BMNTBG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NCP81151BMNTBG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf Material Declaration NCP81151BMNTBG.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 29/Aug/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
NCPxx 30/Sep/2022.pdf
Datenblätter
NCP81151B.pdf
HTML -Datenblatt
NCP81151B.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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