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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberNCV5183DR2G
NCV5183DR2G Image
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NCV5183DR2G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NCV5183DR2G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NCV5183DR2G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
Cylindrical Battery Holders.pdf
RoHS Status
vorrätig: 29758

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Anzahl

Spezifikation

NCV5183DR2G Tech -Spezifikationen
onsemi - NCV5183DR2G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NCV5183DR2G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannungsversorgung 9V ~ 18V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie Automotive, AEC-Q100  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 12ns, 12ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 1.2V, 2.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 4.3A, 4.3A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer NCV5183  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NCV5183DR2G.

Produkteigenschaften NCV5183DR2G NCV51705MNTWG NCV51511PDR2G NCV5501DT50RKG
Artikelnummer NCV5183DR2G NCV51705MNTWG NCV51511PDR2G NCV5501DT50RKG
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Spannungsversorgung 9V ~ 18V 10V ~ 22V 8V ~ 16V -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 4.3A, 4.3A 6A, 6A 3A, 6A -
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V - 100 V -
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 12ns, 12ns 8ns, 8ns 6ns, 4ns -
Anzahl der Treiber 2 1 2 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount Surface Mount
Eingabetyp Non-Inverting Inverting, Non-Inverting Non-Inverting -
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C
Serie Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100
Ladestrom Independent Single Synchronous -
Logikspannung - VIL, VIH 1.2V, 2.5V 1.2V, 1.6V 2V, 1.8V -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 24-QFNW (4x4) 8-SOIC-EP DPAK
Grundproduktnummer NCV5183 NCV51705 NCV51511 NCV5501
Gate-Typ N-Channel MOSFET SiC MOSFET N-Channel MOSFET -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 24-VFQFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Low-Side High-Side or Low-Side -

NCV5183DR2G Datenblatt PDF

Laden Sie NCV5183DR2G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NCV5183DR2G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf Material Declaration NCV5183DR2G.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf
HTML -Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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