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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNDB4060
NDB4060 Image
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NDB4060 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDB4060
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDB4060
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
NDP4060, NDB4060.pdf
vorrätig: 3800

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Spezifikation

NDB4060 Tech -Spezifikationen
onsemi - NDB4060 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDB4060

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 7.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer NDB406  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDB4060.

Produkteigenschaften NDB4060 NDB5060L NDB603AL NDB6030PL
Artikelnummer NDB4060 NDB5060L NDB603AL NDB6030PL
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 30 V 30 V
Serie - - - -
Grundproduktnummer NDB406 - NDB603 NDB603
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V 840 pF @ 30 V 1100 pF @ 15 V 1570 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 7.5A, 10V 35mOhm @ 13A, 10V 22mOhm @ 25A, 10V 25mOhm @ 19A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 24 nC @ 5 V 40 nC @ 10 V 36 nC @ 5 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±16V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263AB)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 26A (Tc) 25A (Tc) 30A (Tc)
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 68W (Tc) 50W (Tc) 75W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA

NDB4060 Datenblatt PDF

Laden Sie NDB4060 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDB4060 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NDP4060, NDB4060.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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