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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNDBA180N10BT4H
NDBA180N10BT4H Image
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NDBA180N10BT4H - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDBA180N10BT4H
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDBA180N10BT4H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
NDBA180N10BT4H.pdf
vorrätig: 4930

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Spezifikation

NDBA180N10BT4H Tech -Spezifikationen
onsemi - NDBA180N10BT4H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDBA180N10BT4H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 50A, 15V  
Verlustleistung (max) 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6950 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Ta)  
Grundproduktnummer NDBA18  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDBA180N10BT4H.

Produkteigenschaften NDBA180N10BT4H NDB6060L NDB6060L NDB7060
Artikelnummer NDBA180N10BT4H NDB6060L NDB6060L NDB7060
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 50A, 15V 20mOhm @ 24A, 10V 20mOhm @ 24A, 10V 13mOhm @ 40A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V 5V, 10V 5V, 10V 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 200W (Tc) 100W (Tc) 100W (Tc) 150W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 60 nC @ 5 V 60 nC @ 5 V 115 nC @ 10 V
Betriebstemperatur 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundproduktnummer NDBA18 NDB6060 - NDB706
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Ta) 48A (Tc) 48A (Tc) 75A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6950 pF @ 50 V 2000 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±16V ±16V ±20V
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 60 V 60 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

NDBA180N10BT4H Datenblatt PDF

Laden Sie NDBA180N10BT4H PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDBA180N10BT4H - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices 28/Apr/2017.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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