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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNDP6020P
NDP6020P Image
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NDP6020P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDP6020P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDP6020P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 24A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4830

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Anzahl

Spezifikation

NDP6020P Tech -Spezifikationen
onsemi - NDP6020P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDP6020P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 12A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1590 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  
Grundproduktnummer NDP602  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDP6020P.

Produkteigenschaften NDP6020P NDP6030PL NDP603AL NDP6020P
Artikelnummer NDP6020P NDP6030PL NDP603AL NDP6020P
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1590 pF @ 10 V 1570 pF @ 15 V 1100 pF @ 15 V 1590 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±8V ±16V ±20V ±8V
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 30 V 20 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer NDP602 - NDP603 NDP602
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Serie - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V 36 nC @ 5 V 40 nC @ 10 V 35 nC @ 5 V
Paket Tube Tube Tube Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 30A (Tc) 25A (Tc) 24A (Tc)
Verlustleistung (max) 60W (Tc) 75W (Tc) 50W (Tc) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 12A, 4.5V 25mOhm @ 19A, 10V 22mOhm @ 25A, 10V 50mOhm @ 12A, 4.5V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V

NDP6020P Datenblatt PDF

Laden Sie NDP6020P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDP6020P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Mold Chg 28/Oct/2019.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev 07/Aug/2020.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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