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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNDS336P
NDS336P Image
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NDS336P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDS336P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDS336P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
NDS336P.pdf
vorrätig: 3680

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Anzahl

Spezifikation

NDS336P Tech -Spezifikationen
onsemi - NDS336P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDS336P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.3A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.2A (Ta)  
Grundproduktnummer NDS336  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDS336P.

Produkteigenschaften NDS336P NDS336P NDS335N NDS335N
Artikelnummer NDS336P NDS336P NDS335N NDS335N
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 2.7V, 4.5V 2.7V, 4.5V 2.7V, 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.3A, 4.5V 200mOhm @ 1.3A, 4.5V 110mOhm @ 1.7A, 4.5V 110mOhm @ 1.7A, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 10 V 360 pF @ 10 V 240 pF @ 10 V 240 pF @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer NDS336 - - NDS335
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V ±8V 8V 8V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 4.5 V 8.5 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.2A (Ta) 1.2A (Ta) 1.7A (Ta) 1.7A (Ta)

NDS336P Datenblatt PDF

Laden Sie NDS336P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDS336P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mold Compound 08/April/2008.pdf Mold Compound 07/Dec/2007.pdf
Datenblätter
NDS336P.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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