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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNDS355AN-F169
NDS355AN-F169 Image
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NDS355AN-F169 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDS355AN-F169
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDS355AN-F169
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
NDS355AN.pdf
vorrätig: 4980

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Anzahl

Spezifikation

NDS355AN-F169 Tech -Spezifikationen
onsemi - NDS355AN-F169 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDS355AN-F169

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 1.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tray  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 195 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Ta)  
Grundproduktnummer NDS355  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDS355AN-F169.

Produkteigenschaften NDS355AN-F169 NDS355AN NDS355AN-F169 NDS356AP
Artikelnummer NDS355AN-F169 NDS355AN NDS355AN-F169 NDS356AP
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paket Tray Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 195 pF @ 15 V 195 pF @ 15 V 195 pF @ 15 V 280 pF @ 10 V
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 1.9A, 10V 85mOhm @ 1.9A, 10V 85mOhm @ 1.9A, 10V 200mOhm @ 1.3A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 5 V 5 nC @ 5 V 5 nC @ 5 V 4.4 nC @ 5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.7A (Ta) 1.7A (Ta) 1.7A (Ta) 1.1A (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer NDS355 NDS355 - NDS356

NDS355AN-F169 Datenblatt PDF

Laden Sie NDS355AN-F169 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDS355AN-F169 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices 31/Jan/2019.pdf
Datenblätter
NDS355AN.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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