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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNDS8858H
NDS8858H Image
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NDS8858H - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDS8858H
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDS8858H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
NDS8858H.pdf
vorrätig: 4390

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Anzahl

Spezifikation

NDS8858H Tech -Spezifikationen
onsemi - NDS8858H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDS8858H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.8A, 10V  
Leistung - max 1W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.3A, 4.8A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer NDS885  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDS8858H.

Produkteigenschaften NDS8858H NDS8926 NDS8934 NDS8858H
Artikelnummer NDS8858H NDS8926 NDS8934 NDS8858H
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer NDS885 NDS892 NDS893 NDS885
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.3A, 4.8A 5.5A 3.8A 6.3A, 4.8A
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.8V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 15V 760pF @ 10V 1120pF @ 10V 720pF @ 15V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Leistung - max 1W 900mW 900mW 1W
Serie - - - -
Konfiguration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.8A, 10V 35mOhm @ 5.5A, 4.5V 70mOhm @ 3.8A, 4.5V 35mOhm @ 4.8A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 30nC @ 4.5V 30nC @ 4.5V 30nC @ 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 20V 30V

NDS8858H Datenblatt PDF

Laden Sie NDS8858H PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDS8858H - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NDS8858H.pdf

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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