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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNDS8961
NDS8961 Image
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NDS8961 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDS8961
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDS8961
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
NDS8961.pdf
vorrätig: 4780

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Spezifikation

NDS8961 Tech -Spezifikationen
onsemi - NDS8961 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDS8961

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.1A, 10V  
Leistung - max 900mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.1A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer NDS896  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDS8961.

Produkteigenschaften NDS8961 NDS8958 NDS8947 NDS8961
Artikelnummer NDS8961 NDS8958 NDS8947 NDS8961
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V 30nC @ 10V 30nC @ 10V 10nC @ 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.8V @ 250µA 2.8V @ 250µA 3V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.1A 5.3A, 4A 4A 3.1A
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V 720pF @ 15V 690pF @ 15V 190pF @ 15V
Leistung - max 900mW 900mW 900mW 900mW
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Grundproduktnummer NDS896 NDS895 NDS894 NDS896
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.1A, 10V 35mOhm @ 5.3A, 10V 65mOhm @ 4A, 10V 100mOhm @ 3.1A, 10V

NDS8961 Datenblatt PDF

Laden Sie NDS8961 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDS8961 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
NDS8961.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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