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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysNDS9952A
NDS9952A Image
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NDS9952A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDS9952A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDS9952A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 3.7/2.9A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
NDS9952A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4590

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Anzahl

Spezifikation

NDS9952A Tech -Spezifikationen
onsemi - NDS9952A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDS9952A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1A, 10V  
Leistung - max 900mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.7A, 2.9A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer NDS995  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDS9952A.

Produkteigenschaften NDS9952A NDS9952A NDS9948 NDS9953A
Artikelnummer NDS9952A NDS9952A NDS9948 NDS9953A
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 10V 320pF @ 10V 394pF @ 30V 350pF @ 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1A, 10V 80mOhm @ 1A, 10V 250mOhm @ 2.3A, 10V 130mOhm @ 1A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer NDS995 NDS995 NDS994 NDS995
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie - - PowerTrench® -
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Leistung - max 900mW 900mW 900mW 900mW
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA 2.8V @ 250µA 3V @ 250µA 2.8V @ 250µA
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 25nC @ 10V 13nC @ 10V 25nC @ 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 60V 30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.7A, 2.9A 3.7A, 2.9A 2.3A 2.9A
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

NDS9952A Datenblatt PDF

Laden Sie NDS9952A PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDS9952A - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 17/Aug/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Site Add 24/Nov/2016.pdf
Datenblätter
NDS9952A.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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