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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNDTL03N150CG
onsemi
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NDTL03N150CG - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NDTL03N150CG
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NDTL03N150CG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3PL
Datenblatt
NDTL03N150C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4780

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Anzahl

Spezifikation

NDTL03N150CG Tech -Spezifikationen
onsemi - NDTL03N150CG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NDTL03N150CG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P(L)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5Ohm @ 1.25A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 140W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3PL  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta)  
Grundproduktnummer NDTL03  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NDTL03N150CG.

Produkteigenschaften NDTL03N150CG NDT456P NDT455N NDT454P
Artikelnummer NDTL03N150CG NDT456P NDT455N NDT454P
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-3PL TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 30 V 1440 pF @ 15 V 1220 pF @ 15 V 950 pF @ 15 V
Grundproduktnummer NDTL03 NDT456 NDT455 NDT454
Vgs (Max) ±30V ±20V 20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1500 V 30 V 30 V 30 V
Supplier Device-Gehäuse TO-3P(L) SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4
VGS (th) (Max) @ Id - 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.7V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta) 7.5A (Ta) 11.5A (Ta) 5.9A (Ta)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 140W (Tc) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta)
Serie - - - -
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5Ohm @ 1.25A, 10V 30mOhm @ 7.5A, 10V 15mOhm @ 11.5A, 10V 50mOhm @ 5.9A, 10V

NDTL03N150CG Datenblatt PDF

Laden Sie NDTL03N150CG PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NDTL03N150CG - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mold compound change 20/Aug/2020.pdf
Datenblätter
NDTL03N150C.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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