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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelNJVMJD112T4G
NJVMJD112T4G Image
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NJVMJD112T4G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NJVMJD112T4G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NJVMJD112T4G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
MJD112,117.pdf
RoHS Status
vorrätig: 140980

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Spezifikation

NJVMJD112T4G Tech -Spezifikationen
onsemi - NJVMJD112T4G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NJVMJD112T4G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A  
Transistor-Typ NPN - Darlington  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie -  
Leistung - max 20 W  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 25MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 2A, 3V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 20µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A  
Grundproduktnummer NJVMJD112  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NJVMJD112T4G.

Produkteigenschaften NJVMJD112T4G NJVMJB44H11T4G NJVMJB41CT4G NJVMJD122T4G
Artikelnummer NJVMJD112T4G NJVMJB44H11T4G NJVMJB41CT4G NJVMJD122T4G
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A 1V @ 400mA, 8A 1.5V @ 600mA, 6A 4V @ 80mA, 8A
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 2A, 3V 40 @ 4A, 1V 15 @ 3A, 4V 1000 @ 4A, 4V
Strom - Collector Cutoff (Max) 20µA 10µA 700µA 10µA
Grundproduktnummer NJVMJD112 - NJVMJB41 NJVMJD122
Transistor-Typ NPN - Darlington NPN NPN NPN - Darlington
Frequenz - Übergang 25MHz 50MHz 3MHz 4MHz
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A 10 A - 8 A
Supplier Device-Gehäuse DPAK D²PAK D²PAK DPAK
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V 80 V - 100 V
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 20 W 2 W 2 W 1.75 W
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NJVMJD112T4G Datenblatt PDF

Laden Sie NJVMJD112T4G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NJVMJD112T4G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
MJD112,117.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
NJVN/NJVM/SJD 10/Jul/2017.pdf

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Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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