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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelNJVMJD3055T4G
NJVMJD3055T4G Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NJVMJD3055T4G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NJVMJD3055T4G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NJVMJD3055T4G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 60V 10A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
MJD2955, MJD3055.pdf
RoHS Status
vorrätig: 57650

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Anzahl

Spezifikation

NJVMJD3055T4G Tech -Spezifikationen
onsemi - NJVMJD3055T4G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NJVMJD3055T4G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie -  
Leistung - max 1.75 W  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 2MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 4A, 4V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 50µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 10 A  
Grundproduktnummer NJVMJD3055  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NJVMJD3055T4G.

Produkteigenschaften NJVMJD3055T4G NJVMJD128T4G NJVMJD2955T4G NJVMJD31CT4G
Artikelnummer NJVMJD3055T4G NJVMJD128T4G NJVMJD2955T4G NJVMJD31CT4G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A 4V @ 80mA, 8A 8V @ 3.3A, 10A 1.2V @ 375mA, 3A
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 4A, 4V 1000 @ 4A, 4V 20 @ 4A, 4V 25 @ 1A, 4V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK DPAK
Strom - Collector Cutoff (Max) 50µA 5mA 50µA 50µA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V 120 V 60 V 100 V
Leistung - max 1.75 W 1.75 W 1.75 W 1.56 W
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Strom - Kollektor (Ic) (max) 10 A 8 A 10 A 3 A
Grundproduktnummer NJVMJD3055 NJVMJD128 NJVMJD2955 NJVMJD31
Transistor-Typ NPN PNP - Darlington PNP NPN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Frequenz - Übergang 2MHz - 2MHz 3MHz

NJVMJD3055T4G Datenblatt PDF

Laden Sie NJVMJD3055T4G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NJVMJD3055T4G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mold Compound 16/Aug/2018.pdf
Datenblätter
MJD2955, MJD3055.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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