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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelNJVMJD41CT4G
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NJVMJD41CT4G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NJVMJD41CT4G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NJVMJD41CT4G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 100V 6A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
MJD41C (NPN), MJD42C (PNP).pdf
RoHS Status
vorrätig: 89260

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Anzahl

Spezifikation

NJVMJD41CT4G Tech -Spezifikationen
onsemi - NJVMJD41CT4G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NJVMJD41CT4G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 600mA, 6A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Leistung - max 1.75 W  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 3MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 300mA, 4V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 50µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 6 A  
Grundproduktnummer NJVMJD41  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NJVMJD41CT4G.

Produkteigenschaften NJVMJD41CT4G NJVMJD44H11RLG NJVMJD350T4G NJVMJD31CT4G-VF01
Artikelnummer NJVMJD41CT4G NJVMJD44H11RLG NJVMJD350T4G NJVMJD31CT4G-VF01
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Strom - Collector Cutoff (Max) 50µA 1µA 100µA 50µA
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 6 A 8 A 500 mA 3 A
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 300mA, 4V 60 @ 2A, 1V 30 @ 50mA, 10V 25 @ 1A, 4V
Grundproduktnummer NJVMJD41 NJVMJD44 NJVMJD350 NJVMJD31
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V 80 V 300 V 100 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK DPAK
Leistung - max 1.75 W 1.75 W 1.56 W 1.56 W
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Frequenz - Übergang 3MHz 85MHz 10MHz 3MHz
Transistor-Typ NPN NPN PNP NPN
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 600mA, 6A 1V @ 400mA, 8A 1V @ 10mA, 100mA 1.2V @ 375mA, 3A

NJVMJD41CT4G Datenblatt PDF

Laden Sie NJVMJD41CT4G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NJVMJD41CT4G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
MJD41C (NPN), MJD42C (PNP).pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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