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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedNSBA114EDXV6T1G
NSBA114EDXV6T1G Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NSBA114EDXV6T1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NSBA114EDXV6T1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NSBA114EDXV6T1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
MUN5111DW1, NSBA114EDxx.pdf
RoHS Status
vorrätig: 316620

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Anzahl

Spezifikation

NSBA114EDXV6T1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NSBA114EDXV6T1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NSBA114EDXV6T1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-563  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms  
Leistung - max 500mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer NSBA114  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NSBA114EDXV6T1G.

Produkteigenschaften NSBA114EDXV6T1G NSBA123JDXV6T1 NSBA123JDXV6T5 NSB4904DW1T1G
Artikelnummer NSBA114EDXV6T1G NSBA123JDXV6T1 NSBA123JDXV6T5 NSB4904DW1T1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V - 50V
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V - 80 @ 5mA, 10V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA - 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device-Gehäuse SOT-563 SOT-563 - SC-88/SC70-6/SOT-363
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA - 100mA
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms 47kOhms - 47kOhms
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequenz - Übergang - - - -
Grundproduktnummer NSBA114 NSBA123 NSBA12 NSB4904
Serie - - - -
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms 2.2kOhms - 47kOhms
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA - 500nA
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) - 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Leistung - max 500mW 500mW - 250mW

NSBA114EDXV6T1G Datenblatt PDF

Laden Sie NSBA114EDXV6T1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NSBA114EDXV6T1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 24/Apr/2020.pdf
PCN -Verpackung
Carrier Tape 15/Aug/2017.pdf Mult Devices 27/Oct/2017.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Wire Bond 01/Dec/2010.pdf
Datenblätter
MUN5111DW1, NSBA114EDxx.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
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