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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedNSBC115TPDP6T5G
NSBC115TPDP6T5G Image
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NSBC115TPDP6T5G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NSBC115TPDP6T5G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NSBC115TPDP6T5G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-963
Datenblatt
NSBC114TPDP6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1019450

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Anzahl

Spezifikation

NSBC115TPDP6T5G Tech -Spezifikationen
onsemi - NSBC115TPDP6T5G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NSBC115TPDP6T5G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA  
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-963  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) -  
Widerstand - Basis (R1) 100kOhms  
Leistung - max 339mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-963  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 160 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer NSBC115  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NSBC115TPDP6T5G.

Produkteigenschaften NSBC115TPDP6T5G NSBC115EDXV6T1G NSBC123JDP6T5G NSBC114YDXV6T1G
Artikelnummer NSBC115TPDP6T5G NSBC115EDXV6T1G NSBC123JDP6T5G NSBC114YDXV6T1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Supplier Device-Gehäuse SOT-963 SOT-563 SOT-963 SOT-563
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-963 SOT-563, SOT-666 SOT-963 SOT-563, SOT-666
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 160 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Widerstand - Basis (R1) 100kOhms 100kOhms 2.2kOhms 10kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) - 100kOhms 47kOhms 47kOhms
Leistung - max 339mW 500mW 339mW 500mW
Frequenz - Übergang - - - -
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Serie - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Grundproduktnummer NSBC115 NSBC115 NSBC123 NSBC114

NSBC115TPDP6T5G Datenblatt PDF

Laden Sie NSBC115TPDP6T5G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NSBC115TPDP6T5G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Wire Bond 01/Dec/2010.pdf
Datenblätter
NSBC114TPDP6.pdf

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Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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