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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelNSS1C200LT1G
NSS1C200LT1G Image
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NSS1C200LT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NSS1C200LT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NSS1C200LT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
NSS1C200LT1G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 219220

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Spezifikation

NSS1C200LT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NSS1C200LT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NSS1C200LT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 200mA, 2A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Leistung - max 490 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 120MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 50mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A  
Grundproduktnummer NSS1C200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NSS1C200LT1G.

Produkteigenschaften NSS1C200LT1G NSS12100XV6T1G NSS12201LT1G NSS1C300ET4G
Artikelnummer NSS1C200LT1G NSS12100XV6T1G NSS12201LT1G NSS1C300ET4G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 50mA, 2V 100 @ 500mA, 2V 200 @ 500mA, 2V 120 @ 1A, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A 1 A 2 A 3 A
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-563, SOT-666 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-563 SOT-23-3 (TO-236) DPAK
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 200mA, 2A 440mV @ 100mA, 1A 90mV @ 200mA, 2A 400mV @ 300mA, 3A
Leistung - max 490 mW 500 mW 460 mW 2.1 W
Grundproduktnummer NSS1C200 NSS12100 NSS12201 NSS1C300
Transistor-Typ PNP PNP NPN PNP
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Frequenz - Übergang 120MHz - 150MHz 100MHz
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V 12 V 12 V 100 V

NSS1C200LT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NSS1C200LT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NSS1C200LT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 16/Sep/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Chg 21/Jun/2021.pdf
Datenblätter
NSS1C200LT1G.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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