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NST65010MW6T1G Image
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NST65010MW6T1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NST65010MW6T1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NST65010MW6T1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
NST65010MW6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 377420

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Anzahl

Spezifikation

NST65010MW6T1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NST65010MW6T1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NST65010MW6T1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 65V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA  
Transistor-Typ 2 PNP (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363  
Serie -  
Leistung - max 380mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 100MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 220 @ 2mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer NST65010  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NST65010MW6T1G.

Produkteigenschaften NST65010MW6T1G NST3946DXV6T5G NST847BDP6T5G NST45010MW6T1G
Artikelnummer NST65010MW6T1G NST3946DXV6T5G NST847BDP6T5G NST45010MW6T1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 65V 40V 45V 45V
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-563, SOT-666 SOT-963 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO) - 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 200mA 100mA 100mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363 SOT-563 SOT-963 SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequenz - Übergang 100MHz 300MHz, 250MHz 100MHz 100MHz
Grundproduktnummer NST65010 NST3946 NST847 NST45010
Leistung - max 380mW 500mW 350mW 380mW
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA 600mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor-Typ 2 PNP (Dual) NPN, PNP 2 NPN (Dual) 2 PNP (Dual) Matched Pair
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 220 @ 2mA, 5V 100 @ 10mA, 1V 200 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V

NST65010MW6T1G Datenblatt PDF

Laden Sie NST65010MW6T1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NST65010MW6T1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wire Chg Coating Chg 6/Dec/2018.pdf
Datenblätter
NST65010MW6.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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