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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelNSV40200LT1G
NSV40200LT1G Image
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NSV40200LT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NSV40200LT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NSV40200LT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
NSS,NSV40200L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 228580

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Anzahl

Spezifikation

NSV40200LT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NSV40200LT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NSV40200LT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 170mV @ 200mA, 2A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Leistung - max 460 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 100MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 220 @ 500mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A  
Grundproduktnummer NSV40200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NSV40200LT1G.

Produkteigenschaften NSV40200LT1G NSV1C300ET4G NSV1C201MZ4T1G NSV1C301ET4G-VF01
Artikelnummer NSV40200LT1G NSV1C300ET4G NSV1C201MZ4T1G NSV1C301ET4G-VF01
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 170mV @ 200mA, 2A 400mV @ 300mA, 3A 180mV @ 200mA, 2A 250mV @ 300mA, 3A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) DPAK SOT-223 (TO-261) DPAK
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 220 @ 500mA, 2V 120 @ 1A, 2V 120 @ 500mA, 2V 120 @ 1A, 2V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leistung - max 460 mW 2.1 W 800 mW 2.1 W
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V 100 V 100 V 100 V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Grundproduktnummer NSV40200 NSV1C300 NSV1C201 NSV1C301
Serie - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Frequenz - Übergang 100MHz 100MHz 100MHz 120MHz
Transistor-Typ PNP PNP NPN NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A 3 A 2 A 3 A
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)

NSV40200LT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NSV40200LT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NSV40200LT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 27/Sep/2016.pdf
Datenblätter
NSS,NSV40200L.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Changes 23/Jun/2021.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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