Spezifikation
NSVBA114YDXV6T1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NSVBA114YDXV6T1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NSVBA114YDXV6T1G
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
onsemi |
|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
50V |
|
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
250mV @ 300µA, 10mA |
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| Transistor-Typ |
2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
SOT-563 |
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| Serie |
- |
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| Widerstand - Emitterbasis (R2) |
47kOhms |
|
| Widerstand - Basis (R1) |
10kOhms |
|
| Leistung - max |
500mW |
|
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Verpackung / Gehäuse |
SOT-563, SOT-666 |
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| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
|
| Frequenz - Übergang |
- |
|
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE |
80 @ 5mA, 10V |
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| Strom - Collector Cutoff (Max) |
500nA |
|
| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
100mA |
|
| Grundproduktnummer |
NSVBA114 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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Versandart
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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NSVBAS21AHT1GonsemiDIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
NSVA278JRC
NSVBAS21M3T5GonsemiDIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723
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NSV9435T1GonsemiPNP BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR (
NSVBAS70LT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3
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