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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedNSVDTA114EET1G
NSVDTA114EET1G Image
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NSVDTA114EET1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NSVDTA114EET1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NSVDTA114EET1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
MUNx111, MMUN2111L, DTA114Exx, NSBA114EF3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 366300

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Spezifikation

NSVDTA114EET1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NSVDTA114EET1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NSVDTA114EET1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SC-75, SOT-416  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Leistung - max 200 mW  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer NSVDTA114  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NSVDTA114EET1G.

Produkteigenschaften NSVDTA114EET1G NSVDTA123JM3T5G NSVDTA115EET1G NSVDTA144EET1G
Artikelnummer NSVDTA114EET1G NSVDTA123JM3T5G NSVDTA115EET1G NSVDTA144EET1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device-Gehäuse SC-75, SOT-416 SOT-723 SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms 2.2 kOhms 100 kOhms 47 kOhms
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Leistung - max 200 mW 260 mW 200 mW 200 mW
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms 47 kOhms 100 kOhms 47 kOhms
Serie - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 SOT-723 SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Grundproduktnummer NSVDTA114 NSVDTA123 NSVDTA115 NSVDTA144
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA

NSVDTA114EET1G Datenblatt PDF

Laden Sie NSVDTA114EET1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NSVDTA114EET1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
MUNx111, MMUN2111L, DTA114Exx, NSBA114EF3.pdf

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
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