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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedNSVMMUN2135LT1G
NSVMMUN2135LT1G Image
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NSVMMUN2135LT1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NSVMMUN2135LT1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NSVMMUN2135LT1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
MUN5135, DTA123Jxx, NSBA123JF3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 584350

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Spezifikation

NSVMMUN2135LT1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NSVMMUN2135LT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NSVMMUN2135LT1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Leistung - max 246 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer NSVMMUN2135  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NSVMMUN2135LT1G.

Produkteigenschaften NSVMMUN2135LT1G NSVMMUN2235LT1G NSVMUN2212T1G NSVMMUN2133LT1G
Artikelnummer NSVMMUN2135LT1G NSVMMUN2235LT1G NSVMUN2212T1G NSVMMUN2133LT1G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 - -
Grundproduktnummer NSVMMUN2135 NSVMMUN2235 NSVMUN2212 NSVMMUN2133
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 246 mW 246 mW 230 mW 246 mW
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SC-59 SOT-23-3 (TO-236)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 60 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms 47 kOhms 22 kOhms 47 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms 2.2 kOhms 22 kOhms 4.7 kOhms
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

NSVMMUN2135LT1G Datenblatt PDF

Laden Sie NSVMMUN2135LT1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NSVMMUN2135LT1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
SOT23 27/Sep/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Compound Qual 14/Jun/2019.pdf
Datenblätter
MUN5135, DTA123Jxx, NSBA123JF3.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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