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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedNSVMUN5333DW1T1G
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NSVMUN5333DW1T1G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NSVMUN5333DW1T1G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NSVMUN5333DW1T1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
MUN5333DW1, NSBC143ZPDxx.pdf
RoHS Status
vorrätig: 308640

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Anzahl

Spezifikation

NSVMUN5333DW1T1G Tech -Spezifikationen
onsemi - NSVMUN5333DW1T1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NSVMUN5333DW1T1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA  
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms  
Leistung - max 250mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer NSVMUN5333  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NSVMUN5333DW1T1G.

Produkteigenschaften NSVMUN5333DW1T1G NSVMUN5336DW1T1G NSVMUN5233DW1T3G NSVMUN5312DW1T2G
Artikelnummer NSVMUN5333DW1T1G NSVMUN5336DW1T1G NSVMUN5233DW1T3G NSVMUN5312DW1T2G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms 100kOhms 47kOhms 22kOhms
Serie - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 -
Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms 100kOhms 4.7kOhms 22kOhms
Frequenz - Übergang - - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Grundproduktnummer NSVMUN5333 NSVMUN5336 NSVMUN5233 NSVMUN5312
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V 50V 50V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 60 @ 5mA, 10V
Leistung - max 250mW 187mW 250mW 250mW
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

NSVMUN5333DW1T1G Datenblatt PDF

Laden Sie NSVMUN5333DW1T1G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NSVMUN5333DW1T1G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Green Compound Update 04/Mar/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wire Qual 29/Aug/2019.pdf
Datenblätter
MUN5333DW1, NSBC143ZPDxx.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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