Spezifikation
NTB125N02RT4G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTB125N02RT4G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTB125N02RT4G
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
onsemi |
|
| VGS (th) (Max) @ Id |
2V @ 250µA |
|
| Vgs (Max) |
±20V |
|
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
|
| Supplier Device-Gehäuse |
D2PAK |
|
| Serie |
- |
|
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
4.6mOhm @ 20A, 10V |
|
| Verlustleistung (max) |
1.98W (Ta), 113.6W (Tc) |
|
| Verpackung / Gehäuse |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
|
| Paket |
Tape & Reel (TR) |
|
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
|
| Befestigungsart |
Surface Mount |
|
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
3440 pF @ 20 V |
|
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
28 nC @ 4.5 V |
|
| Typ FET |
N-Channel |
|
| FET-Merkmal |
- |
|
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
|
| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
24 V |
|
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
95A (Ta), 120.5A (Tc) |
|
| Grundproduktnummer |
NTB12 |
|
Lieferung
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.
NTB125N2AMI Semiconductor/onsemi
NTB0104GU12Freescale / NXP Semiconductors
NTB0104GU12,115NXP USA Inc.IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 12XQFN
NTB0104UKNXP USA Inc.DUAL SUPPLY TRANSLATING TRANSCEI
NTB082N65S3FonsemiMOSFET N-CH 650V 40A D2PAK