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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNTB30N06LT4G
NTB30N06LT4G Image
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NTB30N06LT4G - onsemi

Hersteller Artikelnummer
NTB30N06LT4G
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-NTB30N06LT4G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
NTB,NTP30N06L.pdf
vorrätig: 4140

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Spezifikation

NTB30N06LT4G Tech -Spezifikationen
onsemi - NTB30N06LT4G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - NTB30N06LT4G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 15A, 5V  
Verlustleistung (max) 88.2W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta)  
Grundproduktnummer NTB30  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi NTB30N06LT4G.

Produkteigenschaften NTB30N06LT4G NTB30N20 NTB35N15T4G NTB23N03RT4G
Artikelnummer NTB30N06LT4G NTB30N20 NTB35N15T4G NTB23N03RT4G
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta) 30A (Ta) 37A (Ta) 23A (Ta)
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device-Gehäuse D²PAK D²PAK D²PAK D²PAK
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer NTB30 NTB30 NTB35 NTB23
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 15A, 5V 81mOhm @ 15A, 10V 50mOhm @ 18.5A, 10V 45mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max) 88.2W (Tc) 2W (Ta), 214W (Tc) 2W (Ta), 178W (Tj) 37.5W (Tj)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 200 V 150 V 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 10V 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±15V ±30V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 25 V 2335 pF @ 25 V 3200 pF @ 25 V 225 pF @ 20 V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V 100 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 3.76 nC @ 4.5 V

NTB30N06LT4G Datenblatt PDF

Laden Sie NTB30N06LT4G PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für NTB30N06LT4G - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 08/Apr/2011.pdf
Datenblätter
NTB,NTP30N06L.pdf

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Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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